Thermal Inducing System氣流溫度沖擊系統

Thermal Inducing System氣流溫度沖擊系統

Thermal Inducing System氣流溫度沖擊系統

　　高低溫氣流溫度沖擊系統滿足半導體、航天等多場景需求，冠亞恒溫高低溫氣流溫度沖擊系統AES系列在原有配置的基礎上還能接受定制，滿足客戶需求。

　　一、技術發展趨勢

　　1. 溫控性能突破

　　更寬溫域：從傳統-55℃~300℃擴展至-100℃~500℃，支持半導體（SiC、GaN）與超導材料測試。

　　更快溫變速率：制冷技術推動溫變速率適配3D封裝芯片的瞬時熱應力模擬。

　　納米級控溫精度：基于量子傳感器與AI動態補償算法，控溫精度滿足制程芯片的原子級熱分析需求。

　　2. 多物理場耦合測試

　　復合環境模擬：集成振動、濕度、真空模塊，滿足車規級芯片與航天器件的多維度可靠性驗證。

　　原位分析技術：結合拉曼光譜、X射線衍射，實時觀測材料熱變形與微觀結構演變。

　　2. 模塊化與微型化設計

　　芯片級測試設備：微型熱流罩支持晶圓級在線測試，成本降低。

　　可擴展架構：通過更換模塊適配不同溫域與功能（如添加輻射加熱或濕度控制）。

　　二、半導體行業應用案例

　　1、3D IC封裝熱應力測試

　　需求：驗證TSV（硅通孔）與混合鍵合結構在-55℃~150℃循環下的可靠性。

　　方案：熱流儀以80℃/min速率完成溫度循環，同步監測電阻與形變數據。

　　2、車規芯片認證

　　需求：滿足-40℃~150℃溫度循環、濕熱老化等嚴苛測試。

　　方案：多工位熱流罩并行測試8個ECU，溫變速率50℃/min，濕度精度±2%RH。

　　3、GaN功率器件熱阻優化

　　需求：降低GaN HEMT器件的結到外殼熱阻，提升散熱效率。

　　方案：熱流儀結合紅外熱成像，定位熱點并優化封裝結構。

　　4、Chiplet異構集成驗證

　　需求：驗證多芯片模塊（MCM）在嚴苛溫度下的信號完整性。

　　方案：熱流儀在-65℃~125℃下同步施加高頻信號，監測延時與誤碼率。

　　5、制程芯片（2nm）電遷移測試

　　需求：評估銅互連線在高溫與高電流密度下的壽命。

　　方案：熱流儀以±0.1℃精度控溫，結合四探針法實時測量電阻漂移。

　　高低溫氣流溫度沖擊系統其技術突破與半導體行業的準確化、集成化需求深度耦合。冠亞恒溫等企業正通過持續創新，為*客戶提供更準確的可靠性測試解決方案。